簡易檢索 / 檢索結果

  • 檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "GaN".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="氮化銦鎵" and cdept.raw="光電工程研究所"


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    GaN/InGaN多重量子井之太陽電池模擬研究
    • 光電工程研究所 /97/ 碩士
    • 研究生: 張凱彥 指導教授: 葉秉慧
    • InxGa1-xN系統之能隙可以由3.42eV (GaN)調變至0.7eV (InN),其能隙幾乎涵蓋了地球表面上收到的太陽光的頻譜,所以選擇氮化鎵系統半導體材料進行太陽電池之研究。 本論文主要將以…
    • 點閱:224下載:0
    • 全文公開日期 2014/07/27 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

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    分子束磊晶系統成長三五族氮化物奈米結構於光電化學產氫之研究
    • 光電工程研究所 /100/ 碩士
    • 研究生: 黃義仁 指導教授: 黃柏仁
    • 本研究中,利用電漿輔助式分子束磊晶系統在矽基板上成長氮化鎵奈米柱及氮化銦鎵薄膜結構,並將其運用在光電化學產氫的研究上。首先在氮化鎵奈米柱部份,成長不同長度的奈米柱(長度大約在120~720nm、直徑…
    • 點閱:303下載:3
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